典型文献
8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征
文献摘要：
使用物理气相传输法(PVT)通过扩径技术制备出直径为209mm的4H-SiC单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底.使用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、位错检测仪等设备,对8英寸衬底的晶型、结晶质量、微管、电阻率、应力、面型、位错等进行了详细表征.拉曼光谱表明8英寸SiC衬底100％比例面积为单一4H晶型;衬底(004)面的5点X射线摇摆曲线半峰全宽分布在10.44″～11.52″;平均微管密度为0.04 cm-2;平均电阻率为0.0203Ω·cm.使用偏光应力仪对8英寸SiC衬底内部应力进行检测表明整片应力分布均匀,且未发现应力集中的区域;翘曲度(Warp)为17.318μm,弯曲度(Bow)为-3.773μm.全自动位错密度检测仪对高温熔融KOH刻蚀后的8英寸衬底进行全片扫描,平均总位错密度为3293 cm-2,其中螺型位错(TSD)密度为81 cm-2,刃型位错(TED)密度为3074 cm-2,基平面位错(BPD)密度为138 cm-2.结果表明8英寸导电型4H-SiC衬底质量优良,同比行业标准达到行业先进水平.
文献关键词：
8英寸SiC单晶衬底;物理气相传输法;X射线摇摆曲线;微管密度;翘曲度和弯曲度;位错密度
中图分类号：
作者姓名：
娄艳芳;巩拓谌;张文;郭钰;彭同华;杨建;刘春俊
作者机构：
北京天科合达半导体股份有限公司,北京 102600
文献出处：
引用格式：
[1]娄艳芳;巩拓谌;张文;郭钰;彭同华;杨建;刘春俊-.8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征)[J].人工晶体学报,2022(12):2131-2136
A类：
物理气相传输,物理气相传输法,209mm,研磨和抛光,微管密度,翘曲度和弯曲度
B类：
英寸,4H,SiC,单晶衬底,制备与表征,使用物,PVT,扩径,多线切割,系列加工,加工工艺,工艺制备,拉曼光谱,光谱仪,光学显微镜,偏光,面型检测,检测仪,晶型,结晶质量,电阻率,谱表,摇摆曲线,半峰全宽,宽分布,内部应力,整片,应力分布,应力集中,Warp,Bow,位错密度,密度检测,高温熔融,KOH,刻蚀,全片,螺型位错,TSD,刃型位错,TED,基平面,BPD,底质
AB值：
0.306647
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