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层状graphene/WSSe范德瓦耳斯异质结电子特性和界面接触的理论研究
文献摘要：
利用第一性原理计算方法研究了层间距和外部电场对graphene/WSSe范德瓦耳斯异质结的电子特性和界面接触的影响规律.由于范德瓦耳斯力作用,graphene和WSSe单层的电子特性可以被保留在graphene/WSSe异质结中.当形成graphene/WSSe异质结时,在石墨烯的狄拉克锥中可以发现小的带隙值(7 meV).电荷转移产生的内建电场在有效阻碍光激发载流子复合中起着关键作用.与两个独立单层相比,graphene/WSSe异质结在可见光区域具有增强的光吸收,在光电子器件中展现出了潜在应用价值.此外,graphene/WSSe异质结在平衡层间距处显示出n型肖特基接触特性.层间距和外部电场都可以用来改变graphene/WSSe异质结的肖特基势垒高度和接触类型,并有效调节graphene狄拉克锥的位置.本文研究内容为graphene/WSSe异质结在纳米电子和光电子器件领域的应用提供理论依据.
文献关键词：
二维材料;异质结;第一性原理计算;肖特基接触;欧姆接触;电子特性;外部电场
中图分类号：
作者姓名：
赵婷婷
作者机构：
大连理工大学材料科学与工程学院,大连 116024;大连理工大学,凝固控制与数字化制备技术重点实验室,大连 116024
文献出处：
引用格式：
[1]赵婷婷-.层状graphene/WSSe范德瓦耳斯异质结电子特性和界面接触的理论研究)[J].人工晶体学报,2022(12):2080-2089,2124
A类：
WSSe,肖特基势垒高度
B类：
层状,graphene,范德瓦耳斯异质结,电子特性,界面接触,第一性原理计算方法,层间距,外部电场,石墨烯,狄拉克锥,带隙,meV,电荷转移,内建电场,光激发,载流子复合,结在,可见光,光吸收,光电子器件,潜在应用,肖特基接触,接触特性,接触类型,二维材料,欧姆接触
AB值：
0.224607
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