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应变对Mo2C(001)表面电子结构及光学性质的影响
文献摘要：
采用第一性原理方法研究应变对Mo2C(001)表面电子结构及光学性质的影响.研究表明,在应变作用下Mo2C(001)表面均为间接带隙半导体,带隙随着压应变和拉应变的增加而减小.当应变为-20％时,Mo2C(001)表面由间接带隙半导体转变为金属性质.当应变为-20％、-15％、-10％、-5％、0％、5％、10％、15％、20％时,其带隙分别为0eV、0.162eV、0.376 eV、0.574 eV、0.696 eV、0.708 eV、0.604 eV、0.437 eV、0.309 eV.带隙变化的原因主要是Mo 4p、4d、5s态电子和C 3p态电子对应变敏感,在应变作用下受激发,活性增强导致价带顶在布里渊区G、A、L、M点之间变化,导带底在K、H点之间变化;当应变由-15％逐渐变化到20％时,吸收谱的第一峰逐渐减弱,并且第一峰对应的光电子能量减小,吸收带边向低能方向移动,表明光吸收随着压应变增大而增加,吸收带边随着拉应变增加向低能方向移动.其他光学性质表现出类似的变化规律,光学性质计算结果表明应变能够有效调节光吸收特性,增强光学利用率,研究结果为Mo2C(001)作为新型光电子材料的应用提供理论支撑.
文献关键词：
Mo2C;应变;(001)表面;电子结构;光学性质;第一性原理
中图分类号：
作者姓名：
吴星彤;熊启杭;岑伟富;杨吟野
作者机构：
贵州民族大学化学工程学院,贵阳 550025;贵州民族大学新能源与纳米材料重点实验室,贵阳 550025;贵州民族大学材料科学与工程学院,贵阳 550025
文献出处：
引用格式：
[1]吴星彤;熊启杭;岑伟富;杨吟野-.应变对Mo2C(001)表面电子结构及光学性质的影响)[J].人工晶体学报,2022(12):2063-2070
A类：
162eV
B类：
Mo2C,电子结构,光学性质,第一性原理方法,应变作用,带隙,金属性质,0eV,4p,4d,5s,3p,电子对,价带,布里渊区,导带,吸收谱,第一峰,光电子,电子能量,明光,应变能,光吸收特性,强光,电子材料
AB值：
0.304549
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