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Ⅰ类高氘DKDP晶片性能研究
文献摘要：
受到晶体尺寸以及非线性光学性能的影响,目前可供选择的非线性晶体非常有限.DKDP晶体作为传统大尺寸光电材料,在光参量啁啾脉冲放大(OPCPA)装置中得到了应用.高氘化的DKDP晶体有更好的光学性能,然而生长出高氘化DKDP晶体对生长环境等有更加严格的要求.本文通过改良的原料合成罐以及生长槽,采用点籽晶快速生长法成功生长出高氘DKDP晶体.按照Ⅰ类(θ=37.23°,φ=45°)切割方式制备样品,并对其氘含量、透过率、光学均匀性以及晶体激光损伤阈值进行测试.实验结果表明,晶体的平均氘含量达到98.49％,在可见-近红外波段下具有较宽的透过波段和较高的透过性能.R-on-1的测试结果显示,在3 ns、527 nm条件下,DKDP晶体的激光损伤阈值达到了19.92 J/cm2.晶体光学均匀性均方根达到了1.833×10-9,表明晶体具有良好的光学均匀性.
文献关键词：
DKDP;非线性晶体;OPCPA;高氘;点籽晶快速生长法;光学性能;Ⅰ类
中图分类号：
作者姓名：
李鹏飞;胡子钰;郑国宗
作者机构：
福州大学化学学院,福州 350116;中国科学院福建物质结构研究所,福州 350002
文献出处：
引用格式：
[1]李鹏飞;胡子钰;郑国宗-.Ⅰ类高氘DKDP晶片性能研究)[J].人工晶体学报,2022(12):2009-2013,2030
A类：
高氘,点籽晶快速生长法
B类：
DKDP,晶片,晶体尺寸,非线性光学,光学性能,供选择,非线性晶体,大尺寸,光电材料,光参量啁啾脉冲放大,OPCPA,氘化,生长环境,切割方式,备样,氘含量,透过率,激光损伤阈值,近红外波段,on,ns,晶体光学
AB值：
0.245976
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