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Ce:LuAG闪烁晶体的生长研究
文献摘要：
Ce:LuAG晶体是一种性能优良的闪烁材料,但采用提拉法生长Ce:LuAG时,经常出现开裂和包裹物缺陷.本文通过理论与实践相结合的方式分析了温度梯度、提拉速度、晶体旋转速度和热应变等因素对晶体产生缺陷的影响,并提出了解决办法,给出了适合生长优质Ce:LuAG晶体的工艺参数:熔体上方温度梯度在5℃/mm左右,放肩角度在30°～60°,提拉速度1.0～1.5 mm/h,晶体旋转速度15～25 r/min.最后成功生长出直径30 mm、等径长50 mm质量较为完好的Ce:LuAG单晶,晶体内核心面积小.
文献关键词：
Ce:LuAG;闪烁晶体;提拉法;生长;开裂
中图分类号：
作者姓名：
张雅丽;权纪亮;刘纪岸;刘军;黄晋强
作者机构：
广州半导体材料研究所,广州 510610
文献出处：
引用格式：
[1]张雅丽;权纪亮;刘纪岸;刘军;黄晋强-.Ce:LuAG闪烁晶体的生长研究)[J].人工晶体学报,2022(12):2003-2008,2030
A类：
晶体旋转速度
B类：
Ce,LuAG,闪烁晶体,种性,性能优良,闪烁材料,提拉法,经常出现,方式分析,温度梯度,提拉速度,热应变,解决办法,熔体,肩角,完好,单晶
AB值：
0.274222
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