典型文献
应用于锗硅材料的高效耦合光栅研究
文献摘要：
为实现单模光纤与锗硅材料器件的垂直耦合并提高耦合效率,设计了一种锗硅光栅耦合器.通过在硅衬底上增加金属反射层来提高光栅的耦合效率,并利用时域有限差分法仿真软件对锗硅光栅的刻蚀深度、刻蚀槽宽和光栅周期等结构进行了优化.然后,分析了有无金属反射层时的功率和电场分布情况,计算了光栅耦合效率.仿真结果表明,在最佳工作波长1466 nm处,有金属反射层均匀光栅得到的光栅最大耦合效率为-1.34 dB,相比无金属反射层光栅,最大耦合效率提高了 9.4 dB,并且光在波导中的定向性得到了明显的改善.另外,为进一步提高耦合效率,在均匀光栅的基础上仿真设计了两步变迹光栅,相比均匀光栅最大耦合效率提高了 0.55 dB.同时,对耦合光栅中的金属层厚度、锗硅材料折射率和光栅尺寸三个方面行了工艺容差分析,结果表明,所设计的耦合光栅对工艺偏差具有较高的容忍度.最后,制作了锗硅耦合光栅器件,测试结果表明,在工作波长1465 nm处,获得了-2.7 dB的最大耦合效率.
文献关键词：
集成光学;锗硅材料;垂直耦合;光栅耦合器;金属反射层
中图分类号：
作者姓名：
黄强;张意;江佩璘;余长亮;石浩天;黄楚坤;孙军强
作者机构：
华中科技大学武汉光电国家研究中心,湖北 武汉430074;邵阳学院电气工程学院多电源地区电网运行与控制湖南省重点实验室,湖南邵阳422000;武汉飞思灵微电子技术有限公司,湖北武汉430040
文献出处：
引用格式：
[1]黄强;张意;江佩璘;余长亮;石浩天;黄楚坤;孙军强-.应用于锗硅材料的高效耦合光栅研究)[J].激光与光电子学进展,2022(19):210-216
A类：
锗硅材料
B类：
单模光纤,料器,垂直耦合,高耦合效率,硅光,光栅耦合器,硅衬底,金属反射层,时域有限差分法,刻蚀深度,无金属,电场分布,匀光,dB,效率提高,波导,定向性,仿真设计,两步,变迹,金属层,折射率,光栅尺,容差分析,光栅对,容忍度,集成光学
AB值：
0.249269
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