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皮秒激光辐照硅基光电二极管的饱和特性分析
文献摘要：
为了进一步研究超短脉冲激光辐照光电探测器的饱和特性,以硅基PN型光电二极管作为实验器件,实验测量了不同激光能量密度的皮秒激光辐照器件的瞬态响应时间.实验结果表明,当皮秒激光能量密度达到97 nJ/cm2时,器件的瞬态响应信号出现了非线性饱和,同时对器件饱和后的信号特征量的信号半峰全宽和信号底宽进行了分析,其绝对增幅和相对增幅分别为154μs、157.00％和157μs、47.87％,可以看出随着激光能量密度的增加,响应时间逐渐增加,信号的时间展宽意味着器件的瞬态响应发生了退化.对激光注入载流子进行分析,发现激光辐照结束后产生大量的光生载流子,满足半导体的大注入条件,导致初始的载流子双极输运过程中双极迁移率趋近于0,对应的信号下降沿初始速度出现衰减,从而导致器件响应信号出现退化现象.
文献关键词：
探测器;硅基光电二极管;超短脉冲;饱和特性;双极输运
中图分类号：
作者姓名：
姚猛;叶继飞;李兰;高贺岩
作者机构：
航天工程大学宇航科学与技术系激光推进及其应用国家重点实验室,北京101416
文献出处：
引用格式：
[1]姚猛;叶继飞;李兰;高贺岩-.皮秒激光辐照硅基光电二极管的饱和特性分析)[J].激光与光电子学进展,2022(13):129-133
A类：
硅基光电二极管,双极输运
B类：
皮秒激光,饱和特性,超短脉冲激光,脉冲激光辐照,光电探测器,PN,实验测量,激光能量密度,瞬态响应,响应时间,nJ,响应信号,信号特征,特征量,半峰全宽,展宽,光注入,光生载流子,迁移率,趋近,初始速度,退化现象
AB值：
0.210411
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