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超短脉冲激光与碳化硅相互作用研究
文献摘要：
碳化硅(SiC)在半导体制造行业、航空航天领域应用广泛.超短脉冲激光可以实现SiC的冷加工,而研究激光与SiC相互作用过程及损伤阈值是一项重要研究课题.文章基于电子密度增长速率方程,结合雪崩电离模型、光致电离模型及电子空穴复合模型,对百飞秒至十皮秒的超短脉冲激光与SiC相互作用过程进行分析.结果表明,在波长不变的情况下,SiC损伤阈值随着脉宽变窄而呈线性减小,存在理论上的最小损伤阈值,对于1064 nm激光该值为0.47 J/cm2.在脉宽不变的情况下,SiC损伤阈值随波长变长而增大.将模型计算与已报道实验结果进行比较,具有较好一致性.该研究可为SiC材料的超短脉冲激光加工参数选择提供理论指导.
文献关键词：
超短脉冲激光;冷加工;碳化硅;电子密度增长速率方程;损伤阈值
中图分类号：
作者姓名：
王金舵
作者机构：
光学辐射重点实验室,北京 100854
文献出处：
引用格式：
[1]王金舵-.超短脉冲激光与碳化硅相互作用研究)[J].科技创新与应用,2022(22):79-82,86
A类：
电子密度增长速率方程
B类：
超短脉冲激光,碳化硅,相互作用研究,SiC,半导体制造,制造行业,航空航天,航天领域,冷加工,作用过程,损伤阈值,研究课题,雪崩,电离模型,光致电离,空穴,复合模型,飞秒,皮秒,脉宽,变窄,变长,激光加工参数,参数选择
AB值：
0.20853
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