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Nb掺杂对ZrCoSb基Half-Heusler化合物热电性能的影响
文献摘要：
该文采用电弧熔炼结合放电等离子烧结的方法制备了Nb掺杂的ZrCoSb基Half-Heusler化合物Zr1-xNbxCoSb(x=0～0.12).X射线衍射分析表明,所有Nb掺杂样品均得到了单相,点阵参数随Nb的增加而逐渐降低.在323 K到973 K温度范围内研究了样品的热电性能,结果表明所有样品均为n型半导体,Nb的掺入使材料的功率因子提高,热导率降低,ZT随着Nb掺杂量的增加逐渐增大.样品Zr0.88Nb0.12CoSb在973 K取得ZT最大值0.53.
文献关键词：
Half-Heusler化合物;ZrCoSb;Nb掺杂;热电性能
中图分类号：
作者姓名：
武桂英;韦思敏;覃乃领;许征兵;严嘉琳
作者机构：
广西大学资源环境与材料学院广西有色金属及特色材料加工重点实验室,广西南宁530004
文献出处：
引用格式：
[1]武桂英;韦思敏;覃乃领;许征兵;严嘉琳-.Nb掺杂对ZrCoSb基Half-Heusler化合物热电性能的影响)[J].中国新技术新产品,2022(23):76-79
A类：
ZrCoSb,xNbxCoSb,88Nb0,12CoSb
B类：
Half,Heusler,热电性能,电弧,熔炼,放电等离子烧结,Zr1,衍射分析,杂样,单相,点阵,有样,掺入,功率因子,热导率,ZT,Zr0
AB值：
0.273011
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