典型文献
一种CMOS工艺兼容的高效氮化硅表面光栅耦合器
文献摘要：
为了有效简化表面光栅耦合器的制备工艺和降低制备难度,设计了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的高效氮化硅表面光栅耦合器,采用二维时域有限差分(2D-FDTD)算法对耦合器的结构进行了建模、优化和仿真,计算并对比了不同结构的耦合器光谱特性.研究结果表明:在标准绝缘体上硅(SOI)晶圆上,借助于CMOS后道工艺,所设计的氮化硅表面光栅耦合器在通信波长1550 nm附近的最高耦合效率为-3.36 dB,-3 dB带宽为101 nm.
文献关键词：
表面光栅耦合器;耦合效率;集成光子器件;光学设计与制造
中图分类号：
作者姓名：
韩风阳;王凌华;张雅珍;黄继伟
作者机构：
福州大学 物理与信息工程学院,福州350108
文献出处：
引用格式：
[1]韩风阳;王凌华;张雅珍;黄继伟-.一种CMOS工艺兼容的高效氮化硅表面光栅耦合器)[J].光通信技术,2022(06):6-9
A类：
表面光栅耦合器
B类：
CMOS,工艺兼容,氮化硅,制备工艺,互补金属氧化物半导体,时域有限差分,2D,FDTD,光谱特性,绝缘体上硅,SOI,晶圆,借助于,后道工艺,高耦合效率,dB,集成光子器件,光学设计与制造
AB值：
0.189955
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