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气相反应对CVD生长石墨烯的影响
文献摘要：
化学气相沉积法(CVD)制备的石墨烯薄膜具有质量高、均匀性好、层数可控且可放大等优点,近年来受到了学术界和工业界的广泛关注.在高温CVD生长过程中,除衬底表面的反应外,气相反应同样会影响石墨烯的生长行为和薄膜质量.本文将综述气相反应对CVD生长石墨烯的影响:首先对CVD体系内的气相传质过程和气相反应进行了详细讨论;随后系统介绍了基于气相调控提高石墨烯的结晶性、洁净度、畴区尺寸、层数和生长速度的相关策略及其机理;最后对气相反应影响CVD生长石墨烯的规律进行总结,并展望了未来可能的发展方向.
文献关键词：
石墨烯薄膜;化学气相沉积;气相反应;高品质;可控制备
中图分类号：
作者姓名：
陈恒;张金灿;刘晓婷;刘忠范
作者机构：
北京大学纳米化学研究中心,北京分子科学国家研究中心,北京大学化学与分子工程学院,北京100871;北京石墨烯研究院,北京100095;北京大学前沿交叉研究院,北京100871
文献出处：
引用格式：
[1]陈恒;张金灿;刘晓婷;刘忠范-.气相反应对CVD生长石墨烯的影响)[J].物理化学学报,2022(01):36-51
A类：
B类：
气相反应,CVD,长石,化学气相沉积法,石墨烯薄膜,层数,可放,工业界,生长过程,衬底,响石,薄膜质量,相传,传质过程,结晶性,洁净度,生长速度,相关策略,未来可能,可控制备
AB值：
0.285023
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