典型文献
SiC MOSFET特性分析及应用
文献摘要：
碳化硅MOSFET因其材料的特殊性,适合高压、高频和高功率密度场合.该文设计一种碳化硅MOSFET的驱动电路,通过软件PSpice对碳化硅MOSFET以及碳化硅肖特基二极管的开关特性进行仿真研究,并设计RC缓冲电路解决开关的尖峰震荡问题.搭建硬件实验电路,在Buck电路中针对碳化硅MOSFET和Si IGBT在不同负载和占空比下进行电路效率分析.实验结果表明碳化硅MOSFET开关速度快、开关损耗小以及驱动电阻小.碳化硅肖特基二极管无反向恢复特性,适合高频下工作.RC缓冲电路能有效抑制开关产生的尖峰和震荡,在Buck电路中碳化硅MOSFET比Si IGBT在不同负载和占空比下效率要高.
文献关键词：
SiC MOSFET;驱动电路;RC缓冲电路;开关特性
中图分类号：
作者姓名：
韩芬;张艳肖;石浩
作者机构：
西安交通大学城市学院电气与信息工程系,陕西西安710018
文献出处：
引用格式：
[1]韩芬;张艳肖;石浩-.SiC MOSFET特性分析及应用)[J].电子设计工程,2022(18):137-141
A类：
B类：
SiC,MOSFET,碳化硅,高功率密度,密度场,驱动电路,PSpice,肖特基二极管,开关特性,仿真研究,RC,缓冲电路,尖峰,震荡,验电,Buck,IGBT,不同负载,占空比,效率分析,开关损耗,驱动电阻,反向恢复,中碳
AB值：
0.300091
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