典型文献
p型4H-SiC单晶衬底表征及第一性原理计算
文献摘要：
p型4H-SiC是制备高功率电力电子器件的理想衬底材料,但由于工艺技术的制约,国内尚无能力生产高质量、大尺寸、低电阻的p型4H-SiC单晶衬底.本文使用物理气相传输(PVT)法制备了直径为4英寸(1英寸=2.54 cm)Al掺杂的p型4H-SiC单晶衬底.通过KOH腐蚀表征样品位错密度,使用高分辨X射线衍射(HRXRD)表征其晶体质量,利用拉曼光谱扫描确定其晶型,采用非接触式电阻测试仪测试其电阻率.结果表明,衬底整体位错密度较低,结晶质量良好,晶型稳定且衬底全片电阻率小于0.5Ω·cm.通过第一性原理平面波超软赝势方法对本征4H-SiC及Al元素掺杂后样品的体系进行能带结构、电子态密度的计算.结果表明Al掺杂后样品禁带宽度减小,费米能级穿过价带,体现出p型半导体的特征.研究结果为大规模生产高质量、低电阻的p型4H-SiC衬底提供思路.
文献关键词：
p型4H-SiC;物理气相传输;单晶衬底;结构表征;Al掺杂;第一性原理;半导体
中图分类号：
作者姓名：
罗东;贾伟;王英民;戴鑫;贾志刚;董海亮;李天保;王利忠;许并社
作者机构：
太原理工大学,新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220;山西烁科晶体有限公司,太原 030024;太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024
文献出处：
引用格式：
[1]罗东;贾伟;王英民;戴鑫;贾志刚;董海亮;李天保;王利忠;许并社-.p型4H-SiC单晶衬底表征及第一性原理计算)[J].人工晶体学报,2022(07):1169-1176
A类：
物理气相传输
B类：
4H,SiC,单晶衬底,及第,第一性原理计算,高功率,电力电子器件,工艺技术,无能,大尺寸,低电阻,使用物,PVT,英寸,KOH,品位,位错密度,HRXRD,晶体质量,拉曼光谱,晶型,非接触式,电阻测试,测试仪,电阻率,结晶质量,全片,平面波,元素掺杂,能带结构,电子态密度,禁带宽度,费米能级,穿过,价带,规模生产,结构表征
AB值：
0.312416
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