典型文献
掺锗提高VO2薄膜的相变温度机理研究
文献摘要：
二氧化钒(VO2)作为一种长久以来备受关注的新型可逆相变材料,发展潜力巨大,其相变温度(TMIT)的调控一直是研究热点.本文主要利用锗离子作为掺杂离子探索其对VO2薄膜TMIT的影响,并尝试解释其内部作用机理.在约1 cm2大小抛光的氧化铝薄片上沉积了一系列含不同比例锗离子VO2薄膜.研究发现锗离子作为掺杂离子确实有利于TMIT的提高(本课题TMIT最大可达84.7℃).TMIT提高的主要原因是锗离子的引入能够强化单斜态V-V二聚体的稳定性,进而增强单斜态的稳定性,使得低温单斜态向四方金红石态转变更加困难.
文献关键词：
二氧化钒;薄膜;相变温度;二氧化锗;晶格畸变;电学性能;V-V二聚体
中图分类号：
作者姓名：
崔景贺;蒋权伟;高忙忙;梁森
作者机构：
宁夏大学材料与新能源学院,宁夏光伏材料重点实验室,银川 750021
文献出处：
引用格式：
[1]崔景贺;蒋权伟;高忙忙;梁森-.掺锗提高VO2薄膜的相变温度机理研究)[J].人工晶体学报,2022(04):666-672
A类：
掺锗,TMIT
B类：
VO2,相变温度,二氧化钒,长久以来,相变材料,掺杂离子,抛光,氧化铝,薄片,单斜,二聚体,金红石,二氧化锗,晶格畸变,电学性能
AB值：
0.227703
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