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超宽禁带半导体氧化镓基X射线探测器的研究进展
文献摘要：
X射线具有波长短、穿透能力强等优点,在医学成像、安全检查、科学研究、空间通信等领域具有重要作用.半导体X射线探测器可以将X射线转换为电流信号,具有易集成、空间分辨率高、能量分辨率高、响应速度快等优点.高性能的X射线探测器应具备暗电流低、灵敏度高、响应速度快、可长时间稳定工作等特点,因此制备X射线探测器的半导体材料应具有电阻率高、缺陷少、抗辐照能力强、禁带宽度宽等性质.氧化镓(Ga2 O3)是一种新型宽禁带半导体材料,具有超宽禁带宽度、高击穿场强、高X射线吸收系数、耐高温、可采用熔体法生长大尺寸单晶等优点,是一种适合制备X射线探测器的新型材料,近年来基于Ga2 O3的X射探测器成为辐射探测领域的研究热点之一.本文主要介绍了Ga2 O3半导体的物理性质及其在X射线探测器方面的研究进展,分析了影响X射线探测器性能的物理机制,为提高Ga2 O3基X射探测器的性能提供了思路.
文献关键词：
氧化镓;超宽禁带半导体;X射线探测器;半导体探测器;响应速度;灵敏度;单晶;薄膜
中图分类号：
作者姓名：
李志伟;唐慧丽;徐军;刘波
作者机构：
同济大学物理科学与工程学院,上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室,上海 200092
文献出处：
引用格式：
[1]李志伟;唐慧丽;徐军;刘波-.超宽禁带半导体氧化镓基X射线探测器的研究进展)[J].人工晶体学报,2022(03):523-537,570
A类：
B类：
超宽禁带半导体,氧化镓,射线探测,医学成像,安全检查,空间通信,电流信号,空间分辨率,分辨率高,能量分辨率,响应速度快,暗电流,灵敏度高,长时间稳定,半导体材料,电阻率,抗辐照,禁带宽度,Ga2,O3,击穿场强,吸收系数,耐高温,熔体法,长大,大尺寸,单晶,新型材料,辐射探测,物理性质,物理机制,半导体探测器
AB值：
0.250518
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