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电子束曲面直写的Monte Carlo仿真与实验
文献摘要：
电子束直写技术具有分辨率高、操作简单等优势,是制备微纳米曲面器件的一种理想工具.光刻胶的吸收能量沉积密度分布直接决定了直写后图形的精度和分辨率,由于曲面直写时吸收能量沉积密度分布非对称,因而现有的平面直写工艺不再适用于曲面直写.本文采用基于立方体计算微元的Monte Carlo方法计算不同直写参数变化下的吸收能量沉积密度分布.仿真结果表明:随着入射能量或入射角度的增加,直写点的椭圆度也在增加;而减小束斑和薄胶层可以提升曲面直写的分辨率.实验结果表明:在其他参数不变下,以入射能量(5、10、15 keV)和入射角度(5°、10°、15°)进行单一变量实验,直写点的长宽比分别为1.458、2.323、2.924和1.014、1.113、1.173.可以看出,入射能量对椭圆度地增加更为明显.实验与仿真有了较好地验证,本文结果为曲面直写工艺参数选择提供理论依据.
文献关键词：
电子束直写;Monte Carlo模拟;吸收能量沉积密度;散射截面;曲面器件
中图分类号：
作者姓名：
解孟涛;刘俊标;王鹏飞;张雨露;韩立
作者机构：
中国科学院电工研究所,北京100190;中国科学院大学,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]解孟涛;刘俊标;王鹏飞;张雨露;韩立-.电子束曲面直写的Monte Carlo仿真与实验)[J].光学精密工程,2022(18):2232-2240
A类：
电子束直写,曲面器件,吸收能量沉积密度
B类：
Monte,Carlo,直写技术,分辨率高,微纳米,光刻胶,密度分布,后图,立方体,微元,参数变化,入射能量,入射角度,写点,椭圆度,胶层,变下,keV,单一变量,长宽比,参数选择,散射截面
AB值：
0.183712
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