典型文献
一种基于物理的SiC MOSFET改进电路模型
文献摘要：
碳化硅(SiC)材料因其在禁带宽度、击穿电场、电子饱和速度等方面的优势,使得SiC MOSFET具有高频、高压以及高温等优势.然而SiC MOSFET的特殊材料、结构以及高开关速度使得开关瞬态过程中器件内部的物理机理更为复杂.传统的SiC MOSFET模型沿用了部分硅(Si)器件的建模方法,难以准确评估器件在装置中的动静态特性.为此,该文提出一种基于物理的SiC MOSFET改进电路模型.基于器件的工作机理,分析传统SiC MOSFET模型的不足,并针对不足进行改进建模.电流扩散方式是影响SiC MOSFET静态特性的重要因素,由于器件N-漂移区较窄,导致漂移区电流扩散呈梯形,进而对漂移区电阻进行改进建模.SiC MOSFET开关瞬态模型刻画了器件的高频应用特性,基于突变结、穿通特性以及负电压关断分别对器件结电容进行改进建模.最后基于CREE 1 200V/325A的SiC MOSFET器件进行实验,仿真与实验具有较好的一致性,验证了改进模型的准确性.
文献关键词：
SiC MOSFET;电路模型;静态特性;瞬态特性
中图分类号：
作者姓名：
李鑫;罗毅飞;史泽南;王瑞田;肖飞
作者机构：
海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室 武汉 430033;西安交通大学电气工程学院 西安 710049
文献出处：
引用格式：
[1]李鑫;罗毅飞;史泽南;王瑞田;肖飞-.一种基于物理的SiC MOSFET改进电路模型)[J].电工技术学报,2022(20):5214-5226
A类：
200V
B类：
SiC,MOSFET,电路模型,碳化硅,禁带宽度,击穿,特殊材料,开关瞬态,瞬态过程,物理机理,沿用,评估器,动静态特性,工作机理,漂移区,较窄,梯形,应用特性,穿通,负电,关断,结电容,CREE,325A,改进模型,瞬态特性
AB值：
0.337766
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