典型文献
铌掺杂锆钛酸铅铁电薄膜调控CuInS2量子点的阻变性能
文献摘要：
CuInS2量子点(quantum dots,QDs)具有宽尺寸调节范围(2—20 nm)、丰富的电子俘获位点、高光吸收系数、较高的载流子迁移率和制备工艺简单等优势,可应用于下一代非易失性存储器,但其开关电压(–4.5/4.5 V)和阻变开关比(103)还达不到实际使用要求.本文引入铌掺杂锆钛酸铅(Nb:Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PNZT)制备CuInS2 QDs/PNZT复合薄膜,发现PNZT的引入可以明显改善QDs的阻变性能,开关电压降至–4.1/3.4 V,阻变开关比提升至106,在103次的循环耐久性测试中始终保持良好的稳定性.切换PNZT薄膜的铁电极化方向可以改变CuInS2 QDs/PNZT复合薄膜界面势垒高度和耗尽区宽度,以此调控CuInS2 QDs/PNZT复合薄膜的阻变性能.
文献关键词：
CuInS2量子点;Nb:Pb(Zr0.52Ti0.48)O3;阻变存储器;界面调控
中图分类号：
作者姓名：
朱茂聪;邵雅洁;周静;陈文;王志青;田晶
作者机构：
武汉理工大学材料科学与工程学院, 材料复合新技术国家重点实验室, 武汉 430070
文献出处：
引用格式：
[1]朱茂聪;邵雅洁;周静;陈文;王志青;田晶-.铌掺杂锆钛酸铅铁电薄膜调控CuInS2量子点的阻变性能)[J].物理学报,2022(20):241-257
A类：
PNZT
B类：
锆钛酸铅,铅铁,铁电薄膜,CuInS2,量子点,阻变性能,quantum,dots,QDs,俘获,光吸收系数,载流子迁移率,制备工艺,下一代,非易失性存储器,开关比,使用要求,Nb,Pb,Zr0,52Ti0,O3,复合薄膜,电压降,循环耐久性,耐久性测试,始终保持,保持良好,电极化,极化方向,膜界面,界面势垒,势垒高度,耗尽,阻变存储器,界面调控
AB值：
0.361128
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