典型文献
In2Se3薄膜的掺杂效应及其纳米带铁电性
文献摘要：
低维材料的铁电性一直是凝聚态物理和材料科学领域的研究热点,在新型纳米电子器件的设计和应用等方面有重要的潜在应用和学术价值.本文基于密度泛函理论的第一性计算,以实验上已经验证的二维铁电材料In2Se3薄膜为出发点,研究了二维In2Se3薄膜的掺杂效应和In2Se3纳米带的铁电性.结果发现铁电性和金属性在静电掺杂的In2Se3薄膜中可以稳定共存,且电子掺杂会同时增强面内和面外极化,空穴掺杂可以增强面外极化,但抑制面内极化,从原子结构畸变和电子结构等角度详细解释了载流子掺杂对薄膜面内极化和面外极化的影响以及物理机制.针对In2Se3纳米带的研究,发现一维铁电性可以在In2Se3纳米线中存在,计算并给出了纳米带的局域极化分布和带隙,拟合了带隙和纳米带宽度之间满足ENRg-1/w2标度关系.以期此研究可为拓宽二维铁电薄膜及其纳米结构的应用提供理论指导.
文献关键词：
In2Se3薄膜;铁电性;掺杂效应;纳米带
中图分类号：
作者姓名：
黄鸿飞;姚杨;姚承君;郝翔;吴银忠
作者机构：
江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室, 苏州科技大学物理科学与技术学院, 苏州 215009
文献出处：
引用格式：
[1]黄鸿飞;姚杨;姚承君;郝翔;吴银忠-.In2Se3薄膜的掺杂效应及其纳米带铁电性)[J].物理学报,2022(19):310-317
A类：
ENRg
B类：
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AB值：
0.327224
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