典型文献
层状Bi1–xSbxSe纳米薄膜的制备及其热电性能研究
文献摘要：
BiSe是近年来发现的具有超低本征晶格热导率材料,显示出比传统的Bi2Se3更高的热电性能潜力.本文采用真空热蒸发法制备了具有(00l)取向生长的N型纯相BiSe纳米晶薄膜,并通过Sb共蒸发,制备得到不同掺杂浓度的Bi1–xSbxSe热电薄膜.对薄膜样品物相、形貌、组份、晶格振动、化学价态及电输运性质进行了表征.结果显示,Sb进入到BiSe晶格中取代了Bi原子的位置,而Sb原子与Bi原子之间的金属性差异使得掺杂后的样品载流子浓度下降,塞贝克系数上升.同时,随着Sb掺杂浓度的增大,组成薄膜的纳米晶粒尺寸减小,薄膜面内形成更加致密的层状结构,有利于载流子输运,导致样品的载流子迁移率由13.6 cm2/(V·s)显著提升至19.3 cm2/(V·s).受到Seebeck系数与电导率的综合作用,Bi0.76Sb0.24Se薄膜具有2.18μW/(cm·K2)的室温功率因子,相对于未掺杂BiSe薄膜功率因子得到提升.本工作表明BiSe基薄膜在近室温热电薄膜器件中具有潜在的应用前景.
文献关键词：
N型;Bi1—xSbxSe;热电纳米晶薄膜;层状结构;功率因子
中图分类号：
作者姓名：
许静;何梓民;杨文龙;吴荣;赖晓芳;简基康
作者机构：
广东工业大学, 物理与光电工程学院, 广州 510006;新疆大学, 物理科学与技术学院, 新疆 830046
文献出处：
引用格式：
[1]许静;何梓民;杨文龙;吴荣;赖晓芳;简基康-.层状Bi1–xSbxSe纳米薄膜的制备及其热电性能研究)[J].物理学报,2022(19):282-290
A类：
xSbxSe,BiSe,共蒸发,76Sb0,24Se,热电纳米晶薄膜
B类：
Bi1,纳米薄膜,热电性能,晶格热导率,Bi2Se3,热蒸发法,00l,掺杂浓度,热电薄膜,晶格振动,价态,输运性质,金属性,载流子浓度,塞贝克系数,晶粒尺寸,层状结构,载流子迁移率,Seebeck,电导率,Bi0,K2,功率因子,工作表,温热,薄膜器件
AB值：
0.263829
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