典型文献
Ni/ZnO/BiFeO3/ZnO多层膜中磁场调控的电阻开关效应
文献摘要：
阻变存储器由于具有读取速度快、存储密度大、存储时间长、低功耗和结构简单等主要特点, 已被看为下一代非易失性随机存储器的重要候选者. 本文研究了Ni/ZnO/BiFeO3/ZnO/ITO多层纳米薄膜器件的电阻开关特性, 发现器件具有明显的双极性电阻开关效应, 而且样品的电阻开关特性随外加磁场的干涉会有明显变化, 包括开关比、耐受性和电导率. 磁场对Ni/ZnO/BiFeO3/ZnO/ITO薄膜器件的显著调控作用应该起源于磁场使得Ni/ZnO界面处的肖特基势垒改变. 这项工作可以为磁控电阻开关效应提供一种可能的新机制,在未来的存储器器件中具有重要的潜在应用价值.
文献关键词：
多层纳米薄膜结构;电阻开关效应;磁调控;氧空位
中图分类号：
作者姓名：
张兴文;何朝滔;李秀林;邱晓燕;张耘;陈鹏
作者机构：
西南大学物理科学与技术学院,重庆 400715
文献出处：
引用格式：
[1]张兴文;何朝滔;李秀林;邱晓燕;张耘;陈鹏-.Ni/ZnO/BiFeO3/ZnO多层膜中磁场调控的电阻开关效应)[J].物理学报,2022(18):277-284
A类：
电阻开关效应,多层纳米薄膜结构
B类：
ZnO,BiFeO3,多层膜,磁场调控,阻变存储器,读取,存储密度,存储时间,低功耗,结构简单,下一代,非易失性,候选者,ITO,薄膜器件,开关特性,双极性,外加磁场,开关比,耐受性,电导率,肖特基势垒,磁控,潜在应用,磁调控,氧空位
AB值：
0.32168
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