典型文献
GGA+U方法研究C与Ti掺杂GaN的电子结构和光学性质
文献摘要：
作为一种优良的半导体材料,GaN所具有的宽禁带导致其只能吸收可见光中的紫光,因此如何增加GaN材料对可见光的利用率是一个值得研究的问题,掺杂是解决这个问题常用的手段.本文利用第一性原理的方法对本征GaN,C单掺、Ti单掺、C-Ti共掺GaN四种体系的电子结构和光学性质做了计算和分析,结果表明:掺杂后的体系都具有良好的稳定性;掺杂后各体系的体积均增大,说明杂质的引入使体系晶格发生畸变,对光生空穴-电子对的分离有促进作用,进而提高材料的光催化性能;杂质元素的引入使体系能级发生劈裂,电子跃迁更加容易;掺杂后各体系的介电函数虚部主峰均向低能区移动,吸收谱均红移至可见光区域,其中共掺体系在蓝绿光区域的吸收系数最大,由此可以推测C-Ti共掺有助于提高GaN的光催化性能.
文献关键词：
第一性原理;哈伯德U修正;GaN;掺杂;电子结构;光学性质;半导体
中图分类号：
作者姓名：
刘纪博;庞国旺;马磊;刘丽芝;王晓东;史蕾倩;潘多桥;刘晨曦;张丽丽;雷博程;赵旭才;黄以能
作者机构：
伊犁师范大学物理科学与技术学院,新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁 835000;南京大学物理学院,固体微结构物理国家重点实验室,南京 210093
文献出处：
引用格式：
[1]刘纪博;庞国旺;马磊;刘丽芝;王晓东;史蕾倩;潘多桥;刘晨曦;张丽丽;雷博程;赵旭才;黄以能-.GGA+U方法研究C与Ti掺杂GaN的电子结构和光学性质)[J].人工晶体学报,2022(01):77-84
A类：
B类：
GGA+U,Ti,GaN,电子结构和光学性质,半导体材料,禁带,可见光,紫光,第一性原理,共掺,晶格,畸变,光生,空穴,电子对,高材,光催化性能,杂质元素,能级,劈裂,跃迁,介电函数,主峰,吸收谱,红移,移至,蓝绿,绿光,吸收系数,哈伯德
AB值：
0.351256
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