典型文献
P掺杂6H-SiC的第一性原理研究
文献摘要：
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波法,计算未掺杂与P替换Si、C以及P间隙掺杂6H-SiC的电子结构与光学性质.结果显示未掺杂的6H-SiC是带隙为2.052 eV的间接带隙半导体,P替换Si、C掺杂以及P间隙掺杂6H-SiC带隙均减小,分别为1.787 eV、1.446 eV和0.075 eV,其中P间隙掺杂带隙减小幅度最大.P替换掺杂6H-SiC使得费米能级向导带移动并插入导带中,呈n型半导体.P间隙掺杂价带中的一条能级跨入费米能级,因此在禁带中出现一条P 3p杂质能级,P间隙掺杂6H-SiC转为p型半导体.替换与间隙掺杂使得6H-SiC的介电函数实部增大,介电函数虚部、吸收光谱、反射光谱与光电导率红移,其中P间隙掺杂效果最佳.通过P掺杂材料的电导率增强,对红外波段的利用率明显提高,为6H-SiC在红外光电性能方面的应用提供有效的理论依据.
文献关键词：
间隙掺杂;6H-SiC;带隙;介电函数;第一原理;电子结构;光学性质
中图分类号：
作者姓名：
黄思丽;谢泉;张琴
作者机构：
贵州大学大数据与信息工程学院,新型光电子材料与技术研究所,贵阳 550025
文献出处：
引用格式：
[1]黄思丽;谢泉;张琴-.P掺杂6H-SiC的第一性原理研究)[J].人工晶体学报,2022(01):49-55,64
A类：
B类：
6H,SiC,第一性原理研究,基于密度,密度泛函理论,平面波,间隙掺杂,电子结构,光学性质,带隙,eV,小幅度,费米能级,向导,导带,价带,跨入,禁带,3p,介电函数,吸收光谱,反射光谱,光电导率,红移,红外波段,光电性能,第一原理
AB值：
0.223811
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