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高工作温度p-on-n中波碲镉汞红外焦平面器件研究
文献摘要：
As注入掺杂的p-on-n结构碲镉汞红外探测器件具有少子寿命长、暗电流低、R0A值高等优点,是高温器件研究的重要技术路线之一.针对阵列规模640×512、像元中心距15 μm的As掺杂工艺制备的p-on-n中波碲镉汞焦平面器件,测试了不同工作温度下的性能和暗电流.研究结果表明,在80K工作温度下,器件响应表现出高响应均匀性,有效像元率达99.98％;随着工作温度升高,器件盲元增多,当工作温度为150K和180K时,有效像元率降低至99.92％和99.32％.由于对器件扩散电流更好的抑制,器件在160～200 K温度范围内的暗电流低于Rule-07.并且当工作温度在150～180K时(300 K的背景下),器件具有较好的信噪比,极大程度地体现了高温工作的可行性.
文献关键词：
高工作温度;碲镉汞;p-on-n;As掺杂
中图分类号：
作者姓名：
杨超伟;赵鹏;黄伟;秦强;何天应;李红福;浦同俊;刘艳珍;熊伯俊;李立华
作者机构：
昆明物理研究所,云南昆明650223
文献出处：
引用格式：
[1]杨超伟;赵鹏;黄伟;秦强;何天应;李红福;浦同俊;刘艳珍;熊伯俊;李立华-.高工作温度p-on-n中波碲镉汞红外焦平面器件研究)[J].红外与激光工程,2022(12):47-51
A类：
150K,180K
B类：
高工作温度,on,中波,红外焦平面器件,碲镉汞红外探测器,少子寿命,寿命长,暗电流,R0A,温器,对阵,阵列规模,中心距,掺杂工艺,工艺制备,高响应,Rule,高温工作
AB值：
0.253487
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