典型文献
中红外波段高速硅基电光调制器设计与优化(特邀)
文献摘要：
作为中红外波段中最接近O波段和C波段的波段,2 μm波段区域逐渐引起人们的广泛关注.主要对2 μm波段的马赫-增德尔型调制器进行优化设计和仿真,根据2 μm波长下光模场分布的特点,选用具有340 nm厚度顶层硅的SOI衬底,结合实际工艺中240 nm硅刻蚀深度,得到宽度为600 nm以及平板层厚度为100 nm的最优脊波导结构.通过优化掺杂浓度和掺杂区位置获得综合性能最优的调制器器件,在4 V反向偏压下器件光损耗为5.17dB/cm,调制效率为2.86 V·cm,静态消光比为23.8dB,3dBEO带宽为27.1 GHz.同时,与220 nm厚度顶层硅器件相比较,器件的综合性能更为优越.研究内容为后续器件实际制作提供了依据,也为后续2 μm波段光收发集成模块所需调制器设计提供了新的方向.
文献关键词：
硅基光电子学;中红外波段;调制器
中图分类号：
作者姓名：
刘雨菲;李欣雨;王书晓;岳文成;蔡艳;余明斌
作者机构：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050;中国科学院大学材料与光电研究中心,北京100049;上海微技术工业研究院,上海201800
文献出处：
引用格式：
[1]刘雨菲;李欣雨;王书晓;岳文成;蔡艳;余明斌-.中红外波段高速硅基电光调制器设计与优化(特邀))[J].红外与激光工程,2022(03):71-78
A类：
3dBEO
B类：
中红外波段,电光调制器,设计与优化,特邀,马赫,下光,模场,场分布,SOI,衬底,刻蚀深度,板层,脊波导,波导结构,掺杂浓度,偏压,17dB,消光比,8dB,GHz,光收,收发,集成模块,硅基光电子学
AB值：
0.315617
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