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高性能锑化物超晶格中红外探测器研究进展
文献摘要：
中红外探测技术作为一种重要的被动探测手段，在各个领域都有着非常重要的作用。其中，以InAs/InAsSb超晶格材料为基础的无Ga型Sb化物II类超晶格探测器，由于去除了Ga原子的缺陷，具有更高的少子寿命，有利于提高探测器性能。此外，使用光子晶体结构，进行表面光学性能调控，可以提高器件的响应度，从而降低材料吸收区厚度，降低器件暗电流。暗电流的降低和响应度的提升，进一步优化了探测器的性能，进而提高器件工作温度，进一步降低探测系统的体积、重量和功耗。研究表明：使用光子晶体结构可以在不改变外延材料结构的前提下，提高器件量子效率，实现响应光谱的展宽，在实际应用中具有重要的意义。文中综述和讨论了InAs/InAsSb超晶格探测器和光子晶体结构探测器材料生长、结构设计的主要技术问题，详细介绍了两种提高中红外探测器性能的方案及国内外的研究进展。
文献关键词：
锑化物;中红外探测技术;高工作温度;InAs;InAsSb二类超晶格;光子晶体
中图分类号：
作者姓名：
郝宏玥;吴东海;徐应强;王国伟;蒋洞微;牛智川
作者机构：
中国科学院大学半导体研究所，北京 100083
文献出处：
引用格式：
[1]郝宏玥;吴东海;徐应强;王国伟;蒋洞微;牛智川-.高性能锑化物超晶格中红外探测器研究进展)[J].红外与激光工程,2022(03):
A类：
中红外探测器,中红外探测技术,光学性能调控
B类：
锑化物,被动探测,InAsSb,晶格材料,Ga,II,少子寿命,光子晶体,晶体结构,表面光学,响应度,暗电流,探测系统,功耗,量子效率,展宽,器材,材料生长,主要技术,高工作温度,二类超晶格
AB值：
0.203569
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