典型文献
P型SnO TFTs制备及其电学性能研究
文献摘要：
采用直流磁控溅射结合光刻工艺,在室温下制备了p型SnO薄膜及薄膜晶体管器件.研究了直流磁控制备过程中的关键工艺问题.研究发现预溅射5 min、氧气比例为13％、生长压强为0.96 Pa、200℃退火1.5 h可制备高开关比的p型SnO薄膜晶体管.器件开关比可达到6.2×103,亚阈值摆幅为9.96 V·dec-1.通过延长退火时间至2 h,可以大幅提高线性区迁移率至1.61 cm2·V-1·S-1,且亚阈值摆幅仅增大了 0.54 V·dec-1.通过延长预溅射时间至8 min,可以大幅提高p型SnO薄膜晶体管的载流子迁移率,器件线性区迁移率为5.25 cm2·V-1·S-1,饱和区迁移率为0.43cm2·V-1·S-1.
文献关键词：
直流磁控溅射;氧化亚锡(SnO)薄膜晶体管;开关比
中图分类号：
作者姓名：
龙玉洪;杨帆;王超;王艳杰;迟耀丹;杨小天;邓洋
作者机构：
吉林建筑大学电气与计算机学院 长春130118;吉林省建筑电气综合节能重点实验室 长春130118;吉林省师范大学 四平136000
文献出处：
引用格式：
[1]龙玉洪;杨帆;王超;王艳杰;迟耀丹;杨小天;邓洋-.P型SnO TFTs制备及其电学性能研究)[J].真空科学与技术学报,2022(09):713-718
A类：
43cm2
B类：
SnO,TFTs,电学性能,直流磁控溅射,光刻工艺,薄膜晶体管,磁控制,制备过程,关键工艺,Pa,开关比,亚阈值摆幅,dec,退火时间,高线性,溅射时间,载流子迁移率,氧化亚锡
AB值：
0.276509
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