典型文献
基于CMOS工艺的150GHz正交外差探测器电路设计
文献摘要：
传统太赫兹探测器仅能获取信号幅值信息,为此提出一种正交外差混频结构,可同时获得信号的幅值、相位和极化信息,有效提升探测器的灵敏度和信息量.该探测器基于40 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,在传统吉尔伯特双平衡混频结构的开关级与跨导级之间串联电感,输出级联cascode中频放大器,进一步提高探测器响应电压.经过仿真优化,该探测器在-50 dBm射频功率,0 dBm本振功率条件下,1 GHz中频信号的电压响应度为1100 kV/W,噪声等效功率为26.8 fW/Hz1/2,输出波形显示了良好的正交性.同时,设计了一个1:8层叠式功分器用于分配本振功率,在150 GHz频率处,该功分器的插入损耗约为5 dB,四路差分输出信号的幅值差为0.8～1.2 dB,相位差为0.4°～1.7°.
文献关键词：
互补金属氧化物半导体(CMOS);太赫兹;正交;外差;功分器
中图分类号：
作者姓名：
徐雷钧;谢志健;白雪;孟少伟
作者机构：
江苏大学 电气信息工程学院,江苏 镇江 212013
文献出处：
引用格式：
[1]徐雷钧;谢志健;白雪;孟少伟-.基于CMOS工艺的150GHz正交外差探测器电路设计)[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022(10):1000-1005,1031
A类：
150GHz,吉尔伯特双平衡,fW
B类：
CMOS,外差探测,电路设计,太赫兹探测器,取信,混频,信息量,互补金属氧化物半导体,串联电感,cascode,放大器,仿真优化,dBm,射频功率,本振,中频信号,电压响应,响应度,kV,Hz1,输出波形,波形显示,正交性,层叠式,功分器,器用,插入损耗,四路,差分输出,输出信号,幅值差,相位差
AB值：
0.347035
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