典型文献
不同偏置下CCD器件γ射线及质子辐射研究
文献摘要：
电荷耦合器件(CCD)是用于空间光电系统可见光成像的图像传感器,在空间应用环境下受辐射效应作用导致CCD性能退化甚至失效.对于CCD空间辐射效应的地面模拟试验研究,辐照试验中CCD采用合适的偏置条件是分析其空间辐射损伤的必要措施.由于CCD对质子辐照导致的电离总剂量效应和位移损伤效应均非常敏感,因此针对CCD空间应用面临的电离总剂量效应和位移损伤效应威胁,开展不同辐照偏置下CCD的辐射效应及损伤机理研究.针对一款国产埋沟CCD器件,开展不同偏置条件下的γ射线和质子辐照试验,获得了CCD的暗电流、光谱响应等辐射敏感参数的电离总剂量效应,位移损伤效应退化规律以及辐照偏置对CCD辐射效应的影响机制.研究表明,γ射线辐照下CCD的偏置产生重要影响,质子辐照下没有明显的偏置效应.根据CCD结构和辐照后的退火试验结果,对CCD的辐射效应损伤机理进行分析.
文献关键词：
电荷耦合器件;电离总剂量效应;位移损伤效应;偏置条件
中图分类号：
作者姓名：
杨智康;文林;周东;李豫东;冯婕;郭旗
作者机构：
中国科学院 新疆理化技术研究所,新疆 乌鲁木齐 830011;中国科学院大学,北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]杨智康;文林;周东;李豫东;冯婕;郭旗-.不同偏置下CCD器件γ射线及质子辐射研究)[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022(09):915-921
A类：
电离总剂量效应,辐照偏置
B类：
CCD,质子辐射,电荷耦合器件,光电系统,可见光成像,图像传感器,空间应用,应用环境,效应作用,性能退化,空间辐射效应,地面模拟试验,辐照试验,偏置条件,辐射损伤,必要措施,对质,质子辐照,位移损伤效应,应用面,损伤机理,暗电流,光谱响应,辐射敏感,敏感参数,应退,退化规律,照下,置产,退火
AB值：
0.219432
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