典型文献
氮化镓基白光发光二极管的快中子辐照效应
文献摘要：
对注入量为1×1014 cm-2的快中子(1.2 MeV)对氮化镓(GaN)基白光发光二极管(LED)器件的辐照效应进行研究.通过测量和分析器件的电致发光谱(EL)、光功率-电流(L-I)和电流-电压(I-U)特性,发现器件辐照后光功率降低,而EL谱形状几乎没有变化,表明该注入量的中子辐照主要对器件中的蓝光LED芯片造成了损伤.进一步分析发现,中子辐照导致蓝光LED量子阱中产生大量非辐射复合中心,增加了漏电流并减小了量子阱中载流子密度,从而降低LED的输出光功率.由此,在原有GaN基蓝光LED等效电路模型的基础上,加入由中子辐照导致的影响因素,不仅有助于理解中子辐照对LED光功率的衰退影响机理,还为预测辐照后光功率的变化提供了可行性.
文献关键词：
中子辐照;氮化镓;发光二极管;缺陷
中图分类号：
作者姓名：
魏彪;傅翔;汤戈;陈飞良;李沫
作者机构：
重庆大学 光电技术及系统教育部重点实验室,重庆 400044;成都理工大学 核技术与自动化工程学院,四川 成都 610059;电子科技大学 电子科学与工程学院,四川 成都 610054
文献出处：
引用格式：
[1]魏彪;傅翔;汤戈;陈飞良;李沫-.氮化镓基白光发光二极管的快中子辐照效应)[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022(06):543-548
A类：
B类：
氮化镓,白光发光二极管,快中子,中子辐照,辐照效应,注入量,MeV,GaN,LED,分析器,电致发光,EL,光功率,有变,蓝光,量子阱,非辐射复合,漏电流,载流子,等效电路模型,还为
AB值：
0.264413
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