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氮化镓HEMT器件辐射效应综述
文献摘要：
在高频、大功率、高温、高压等领域,氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)器件因其优异的耐辐射性能而被广泛地应用于卫星、太空探测、核反应堆等领域.尽管从理论和一些试验研究中可以得知,氮化镓材料具有良好的耐辐射特性,但在实际应用中,因其制作工艺及结构等因素的影响,氮化镓HEMT器件的耐辐射特性受到了很大的影响和挑战.本文介绍了氮化镓HEMT器件几种辐射效应,并对氮化镓HEMT器件辐射的研究进行了综述.
文献关键词：
氮化镓HEMT器件;γ射线辐射;质子辐射;中子辐射;电子辐射
中图分类号：
作者姓名：
吕航航;曹艳荣;马毛旦;张龙涛;任晨;王志恒;吕玲;郑雪峰;马晓华
作者机构：
西安电子科技大学 机电工程学院,陕西 西安 710071;西安电子科技大学 宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,陕西 西安 710071
文献出处：
引用格式：
[1]吕航航;曹艳荣;马毛旦;张龙涛;任晨;王志恒;吕玲;郑雪峰;马晓华-.氮化镓HEMT器件辐射效应综述)[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022(06):535-542,564
A类：
B类：
HEMT,辐射效应,大功率,氮化镓高电子迁移率晶体管,耐辐射性能,太空,核反应堆,辐射特性,制作工艺,质子辐射,中子辐射,电子辐射
AB值：
0.225997
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