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面向有机薄膜晶体管的紫外/红外光退火的溶液法氧化锆薄膜性能研究
文献摘要：
首先引入新型油酸配位剂,解决已有溶液法成膜较差的问题,接着引入紫外/红外双光源退火工艺,制备了氧化锆薄膜.与传统的热退火工艺相比,双光源退火能够在较低温度下实现锆盐的分解、还原、氧化,形成高质量氧化锆薄膜.采用紫外分光光度计、原子力显微镜和X射线光电子能谱仪等对制备的氧化锆薄膜进行了表征对比,进而分析了成膜的物理机理.结果表明:所用方法成功实现了低温条件下(＜120℃)高质量氧化锆薄膜的制备,薄膜的光学带隙约为5.66 eV,相对介电常数约为22.6,漏电流密度小于10-9 A/cm2@4 MV/cm,表面粗糙度为0.28 nm.最后,基于该氧化锆薄膜绝缘层制备出了低驱动电压的稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物薄膜晶体管,其迁移率为0.50 cm2/(V·s),阈值电压为-0.47 V,电流开关比3.6×107,亚阈值摆幅为0.16 V/dec.
文献关键词：
材料;薄膜晶体管;溶液法;氧化锆;紫外/红外退火
中图分类号：
作者姓名：
谢应涛;蔡坤林;陈鹏龙;刘愈;王东平
作者机构：
重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065;中国科学院苏州生物医学工程技术研究所,江苏苏州215163
文献出处：
引用格式：
[1]谢应涛;蔡坤林;陈鹏龙;刘愈;王东平-.面向有机薄膜晶体管的紫外/红外光退火的溶液法氧化锆薄膜性能研究)[J].中国激光,2022(07):23-33
A类：
B类：
有机薄膜晶体管,溶液法,氧化锆,膜性能,油酸,配位剂,成膜,光源,退火工艺,热退火,紫外分光光度计,原子力显微镜,光电子能谱,能谱仪,物理机理,低温条件,光学带隙,eV,相对介电常数,漏电流密度,MV,表面粗糙度,绝缘层,驱动电压,稠合,噻吩,吡咯并吡咯二酮,聚合物薄膜,迁移率,阈值电压,开关比,亚阈值摆幅,dec
AB值：
0.342417
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