典型文献
金属W掺杂AgSnO2材料导电性能研究
文献摘要：
AgSnO2作为电接触材料成功替代AgCdO材料,但是使用过程中析出的SnO2是宽禁带半导体,在导电性方面同AgCdO材料相比较差,因此决定通过掺杂W元素来提升SnO2材料的导电性.依据第一性原理,利用Material Studio软件中的CASTEP模块对SnO2晶体进行不同浓度比(50％,25％,16.7％,12.5％,8.35％,6.25％,5％)的W元素掺杂,并计算其结构参数、焓变、能带结构、态密度、电荷布局等特性.分析得出,任意掺杂后的SnO2结构较未掺杂前焓变绝对值增大,新生成O-W键与O-Sn键键长相差不大,掺杂后可以生成稳定结构;由于W元素的掺杂,其特有的d轨道不仅能提供更多能量,同时与O的耦合作用使能带间隙减小,当掺杂比为6.25％时其间隙可减小到0.008 eV,能带图中导带底与价带顶近似重合;掺杂后总电荷量增加,载流子浓度提升;通过计算确定在掺杂比为6.25％时材料的导电性最好,电导率较未掺杂前有大幅度提升.计算结果为后续研究提供了理论基础.
文献关键词：
W掺杂;导电性;AgSnO2材料
中图分类号：
作者姓名：
孙绍琦;王景芹;朱艳彩
作者机构：
河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室,天津300130;河北工业大学河北省电磁场与电器可靠性重点实验室,天津300130
文献出处：
引用格式：
[1]孙绍琦;王景芹;朱艳彩-.金属W掺杂AgSnO2材料导电性能研究)[J].稀有金属,2022(08):1111-1117
A类：
AgCdO
B类：
AgSnO2,导电性能,电接触材料,宽禁带半导体,素来,第一性原理,Material,Studio,CASTEP,元素掺杂,焓变,能带结构,态密度,键长,长相,稳定结构,耦合作用,使能,其间,eV,中导,导带,价带,电荷量,载流子浓度,电导率
AB值：
0.320193
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