典型文献
热压工艺对硅掺杂碳复合靶材的性能影响研究
文献摘要：
以碳粉、碳化硅粉体为原料,添加不同含量的硅粉为烧结助剂,在不同的热压工艺参数下制备C/Si80％/20％(原子分数)复合靶材,通过扫描电镜(SEM)分析微观形貌、四探针测试电阻率、X射线衍射(XRD)分析晶体结构、压汞法测试气孔分布,分析Si粉的添加量、液相保温时间、原料预处理工艺对靶材致密化和均匀性的影响,优化硅碳复合(C/Si80％/20％)靶材的热压烧结工艺.结果如下:(1)随着Si粉添加量增加,体系中液相含量增加,扩散传质速率加快,硅碳化合反应生成3C-SiC,体系中的Si元素全部以3C-SiC的形式存在,靶材的致密度逐渐增加,Si粉添加量为14％时,靶材的密度达到2.51 g·cm-3;开孔孔径分布随Si粉添加量的增加而逐渐减小至20 nm以下;靶材电阻率随Si粉添加量的增加而逐渐降低,Si粉添加量为14％时,电阻率降低50％.(2)在1350～1450℃,随着液相保温时间的增加,硅元素挥发并逸出,产生反致密化的现象,Si含量越高,反致密化越明显,密度降低至2.2g·cm-3.(3)采用SiC/C/Si 6％/74％/14％组分体系,C/Si预球磨48h后再添加纳米SiC粉体继续球磨2 h制备复合原料粉体,在1980℃,70 MPa下,液相保温时间为1 h 15 min所制备靶材致密度达到2.51 g·cm-3,组织结构均匀,形貌呈层片状生长,无闭合气孔,电阻率最低为2.06×10-3 Ω·cm.
文献关键词：
硅粉;液相烧结;靶材;热压;C/Si
中图分类号：
作者姓名：
白雪;刘宇阳;桂涛;王星奇;杨磊;王星明
作者机构：
有研资源环境技术研究院(北京)有限公司,北京101407
文献出处：
引用格式：
[1]白雪;刘宇阳;桂涛;王星奇;杨磊;王星明-.热压工艺对硅掺杂碳复合靶材的性能影响研究)[J].稀有金属,2022(04):538-544
A类：
Si80
B类：
热压工艺,硅掺杂,碳复合,复合靶,靶材,碳粉,碳化硅粉,粉体,烧结助剂,微观形貌,四探针,电阻率,析晶,晶体结构,压汞法,试气,气孔分布,保温时间,原料预处理工艺,对靶,致密化,硅碳,热压烧结工艺,液相含量,扩散传质,传质速率,化合反应,3C,SiC,致密度,开孔,孔径分布,硅元素,元素挥发,逸出,反致,2g,球磨,48h,加纳,液相烧结
AB值：
0.335899
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