典型文献
极紫外光刻光源的研究进展及发展趋势
文献摘要：
随着芯片特征尺寸的不断减小,借助193 nm准分子光源的浸没式深紫外光刻技术已进入瓶颈,使用多次曝光技术的工艺路线也已到达目前的商用极限.极紫外光刻(EUVL)采用13.5 nm的极紫外光源,被认为是下一代光刻商用化路线必需的技术.综述了激光等离子体13.5 nmEUVL光源的原理和最新进展,分别从驱动光源、靶材、收集镜等关键子系统展开介绍.讨论了激光等离子体光源进一步发展过程中需要解决的问题,如提升激发光功率、提高转换效率及延长光源寿命,特别分析了日本Gigaphoton公司和荷兰ASML公司的EUVL光源装置.
文献关键词：
光学设计;极紫外光源;激光等离子体;液滴锡靶;转换效率;光源碎屑
中图分类号：
作者姓名：
林楠;杨文河;陈韫懿;魏鑫;王成;赵娇玲;彭宇杰;冷雨欣
作者机构：
上海大学微电子学院,上海200072;中国科学院上海光学精密机械研究所精密光学工程部,上海201800
文献出处：
引用格式：
[1]林楠;杨文河;陈韫懿;魏鑫;王成;赵娇玲;彭宇杰;冷雨欣-.极紫外光刻光源的研究进展及发展趋势)[J].激光与光电子学进展,2022(09):15-34
A类：
EUVL,nmEUVL,Gigaphoton,液滴锡靶,光源碎屑
B类：
极紫外光刻,特征尺寸,准分子,浸没式,深紫外光刻,光刻技术,曝光,工艺路线,极紫外光源,下一代,商用化,激光等离子体,最新进展,靶材,键子,发光功率,高转换效率,荷兰,ASML,光源装置,光学设计
AB值：
0.25618
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