典型文献
基于氧化铟锡主动超表面的相位调制
文献摘要：
透明导电氧化物由于特殊的光学性能,已经被广泛地运用于光电器件中.在近红外波长范围内,其介电常数实部将从正转变为负.在介电常数近零(ENZ)区域中,光与物质之间将产生强相互作用,由此将有望实现较宽的相位调制.采用基于氧化铟锡(ITO)的金属-氧化物-半导体电容器(MOS)结构,通过施加0～5 V的偏置电压,对界面附近1 nm厚度内的载流子浓度进行调制,实现了在1470 nm处的接近265°的相位调控.在相位调制的基础上,探索了该结构在光束偏转和聚焦方面的实际应用.此外,双栅型MOS结构的设计进一步拓宽了相位覆盖的范围.
文献关键词：
超表面;透明导电氧化物;介电常数近零材料;场效应调制
中图分类号：
作者姓名：
高峰;朱晨岳;李景悦;吴春艳;罗林保
作者机构：
合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥230601
文献出处：
引用格式：
[1]高峰;朱晨岳;李景悦;吴春艳;罗林保-.基于氧化铟锡主动超表面的相位调制)[J].激光与光电子学进展,2022(04):38-44
A类：
介电常数近零材料,场效应调制
B类：
氧化铟锡,超表面,相位调制,透明导电氧化物,光学性能,光电器件,近红外,部将,正转,ENZ,强相互作用,ITO,电容器,MOS,偏置电压,载流子浓度,相位调控,光束偏转
AB值：
0.308038
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
