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CMOS图像传感器辐照损伤效应仿真模拟研究进展
文献摘要：
CMOS图像传感器(CIS)工作在空间辐射或核辐射环境中遭受的辐照损伤问题备受关注.对CIS辐照损伤效应进行仿真模拟研究有助于深入揭示辐照损伤机理,进而开展抗辐射加固设计,有效提升CIS抗辐照能力.文章通过梳理国内外开展CIS辐照损伤效应仿真模拟研究方面的进展情况,结合课题组已开展的电子元器件辐照效应仿真模拟和实验研究基础,从CIS器件建模、时序驱动电路建模、辐照损伤效应建模、仿真模拟结果校验等方面探讨了 CIS辐照损伤效应的仿真模拟方法,分析总结了当前CIS辐照效应仿真模拟研究中亟待解决的关键技术问题.
文献关键词：
CMOS图像传感器;辐照损伤;总剂量效应;位移效应
中图分类号：
作者姓名：
王祖军;赖善坤;杨勰;贾同轩;黄港;聂栩
作者机构：
西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024;湘潭大学材料科学与工程学院,湖南湘潭411105;西安高科技研究所,西安710024
文献出处：
引用格式：
[1]王祖军;赖善坤;杨勰;贾同轩;黄港;聂栩-.CMOS图像传感器辐照损伤效应仿真模拟研究进展)[J].半导体光电,2022(05):839-847
A类：
B类：
CMOS,图像传感器,辐照损伤,损伤效应,仿真模拟,CIS,空间辐射,核辐射环境,损伤机理,抗辐射加固设计,抗辐照,进展情况,电子元器件,辐照效应,器件建模,驱动电路,电路建模,校验,总剂量效应,位移效应
AB值：
0.244776
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