典型文献
ScAlN缓冲层厚度对Si(100)衬底上GaN外延层的影响
文献摘要：
采用脉冲直流磁控溅射方法在Si(100)衬底上制备了 ScAlN薄膜.以溅射的ScAlN作为缓冲层,在Si(100)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术外延了 GaN薄膜.使用高分辨X射线衍射、原子力显微镜和拉曼光谱研究了 ScAlN缓冲层的厚度对ScAlN缓冲层和GaN外延层的影响.研究结果表明,ScAlN缓冲层的厚度是影响GaN薄膜晶体质量的重要因素.随着ScAlN厚度的增加,ScAlN的(002)面X射线衍射摇摆曲线半高宽持续减小,GaN的(002)面X射线衍射摇摆曲线半高宽先减小后增大.当ScAlN缓冲层厚度为500 nm时,得到的GaN晶体质量最好,其中GaN(002)面的X射线衍射摇摆曲线半高宽为0.38°,由拉曼光谱计算得到的张应力为398.38 MPa.
文献关键词：
Si(100)衬底;氮化镓;ScAlN;磁控溅射
中图分类号：
作者姓名：
尹浩田;丁广玉;韩军;邢艳辉;邓旭光
作者机构：
北京工业大学微电子学院光电技术教育部重点实验室,北京100124;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台,江苏苏州215123
文献出处：
引用格式：
[1]尹浩田;丁广玉;韩军;邢艳辉;邓旭光-.ScAlN缓冲层厚度对Si(100)衬底上GaN外延层的影响)[J].半导体光电,2022(03):517-521
A类：
ScAlN
B类：
缓冲层,Si,衬底,GaN,外延层,直流磁控溅射,金属有机化学气相沉积,MOCVD,原子力显微镜,拉曼光谱,晶体质量,摇摆曲线,半高宽,先减,张应力,氮化镓
AB值：
0.180027
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