典型文献
As、Ga掺杂对Mn4Si7电子结构和光学特性的影响
文献摘要：
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法研究了四方本征Mn4 Si7、As掺杂及Ga掺杂(同一周期不同主族进行n、p型掺杂)Mn4 Si7模型的电子结构以及光学性质.通过对其能带、态密度及光学性质的分析可以发现,As、Ga掺入后引入了杂质能带,能带曲线向低能级方向移动,导致禁带宽度减小,杂质的引入使得其介电常数、吸收率、反射率及光电导率等光学性质得到提高.此外,Ga的掺杂对Mn4 Si7光学性质的增强更为显著.研究结果表明Mn4 Si7基材料在红外光电器件的应用中显示出了巨大的潜力和研究价值.
文献关键词：
Mn4Si7;第一性原理;掺杂;电子结构;光学性质
中图分类号：
作者姓名：
朱挥;陈茜;罗玉玺
作者机构：
贵州大学 大数据与信息工程学院, 贵州 贵阳 550025
文献出处：
引用格式：
[1]朱挥;陈茜;罗玉玺-.As、Ga掺杂对Mn4Si7电子结构和光学特性的影响)[J].电子元件与材料,2022(04):369-375
A类：
Mn4Si7,Si7,能带曲线
B类：
Ga,电子结构,光学特性,基于密度,密度泛函理论,平面波,一周,主族,光学性质,态密度,掺入,能级,禁带宽度,介电常数,吸收率,反射率,光电导率,基材,光电器件,第一性原理
AB值：
0.240555
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