典型文献
一种应用于SoC的高稳定性无片外电容LDO稳压器
文献摘要：
为了减少负载电流瞬态变化对低压差线性稳压器(LDO)输出电压稳定性的不利影响,设计了一种应用于片上系统(SoC)的高稳定性无片外电容LDO稳压器.该电路采用密勒电容倍增补偿和零点-极点跟踪补偿技术,使LDO在不同负载条件下仍具有良好的环路稳定性.同时,通过摆率增强电路来动态调节功率晶体管的栅极电压,改善了LDO的瞬态响应特性.电路采用0.11μm标准CMOS工艺设计.后端仿真结果表明,当电源电压为1.3～3.3 V,最大输出负载电流为50 mA时,LDO输出电压的稳定值为1.21 V,静态电流为35μA,最小相位裕度为64.43°.当负载电流以1μs的时间在1～50 mA之间跃变时,与未加入摆率增强电路的LDO相比,输出电压的下冲幅度减少了126 mV,下降了42.5％;过冲幅度减少了44 mV,下降了20.6％.
文献关键词：
低压差线性稳压器;无片外电容;高稳定性;频率补偿;摆率增强
中图分类号：
作者姓名：
曾范洋;蒋品群;宋树祥;蔡超波;刘振宇
作者机构：
广西师范大学 电子工程学院, 广西 桂林 541004
文献出处：
引用格式：
[1]曾范洋;蒋品群;宋树祥;蔡超波;刘振宇-.一种应用于SoC的高稳定性无片外电容LDO稳压器)[J].电子元件与材料,2022(03):278-283
A类：
摆率增强电路
B类：
SoC,高稳定性,无片外电容,LDO,负载电流,瞬态变化,低压差线性稳压器,输出电压,电压稳定性,片上系统,密勒电容,倍增,增补,零点,极点,补偿技术,不同负载,环路稳定性,动态调节,功率晶体管,栅极电压,瞬态响应特性,CMOS,工艺设计,后端,电源电压,大输,mA,静态电流,相位裕度,未加,下冲,mV,过冲,频率补偿
AB值：
0.313423
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