典型文献
基于高摆率误差放大器的无片外电容LDO设计
文献摘要：
为了解决无片外电容低压差线性稳压器(LDO)的瞬态响应性能较差的问题,采用跨导提高技术设计了一种高摆率的误差放大器.在误差放大器的基础上,通过电容将LDO的输出端耦合至电流镜构建瞬态增强电路,提升LDO的瞬态响应能力,且瞬态增强电路可以引入两个左半平面零点,改善环路的稳定性.同时,误差放大器采用动态偏置结构,进一步减小下冲和过冲电压,缩短稳定时间.电路基于TSMC 0.18μm CMOS工艺设计.仿真结果表明,在片上负载电容为50 pF,压差为200 mV的条件下,LDO环路在100μA～100 mA的负载电流下保持稳定.负载电流在0.5μs内在100μA和100 mA之间跳变时,输出最大下冲和过冲电压均小于100 mV,稳定时间小于1μs.
文献关键词：
高摆率;误差放大器;瞬态增强;环路稳定性;无片外电容LDO
中图分类号：
作者姓名：
孙帆;黄海波;王卫华
作者机构：
湖北汽车工业学院 电气与信息工程学院,湖北 十堰 442002
文献出处：
引用格式：
[1]孙帆;黄海波;王卫华-.基于高摆率误差放大器的无片外电容LDO设计)[J].电子元件与材料,2022(02):206-212
A类：
高摆率,瞬态增强
B类：
误差放大器,LDO,决无,无片外电容低压差线性稳压器,瞬态响应性能,提高技术,技术设计,输出端,电流镜,强电,响应能力,半平面,零点,动态偏置,下冲,过冲电压,稳定时间,路基,TSMC,CMOS,工艺设计,负载电容,pF,mV,mA,负载电流,流下,跳变,环路稳定性
AB值：
0.271635
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