典型文献
Se和Cd掺杂GaN电子结构与光学性质的第一性原理研究
文献摘要：
基于密度泛函理论的第一性原理,使用GGA+U方法分别计算Se和Cd单掺与共掺杂GaN体系的晶格常数、电子结构及光学性质.结果表明:与本征GaN相比,掺杂后体系的晶格常数发生了改变,禁带宽度减小,吸收光谱均发生红移,表明掺杂使体系的光谱响应范围得到更大拓展.其中,Cd单掺GaN体系的禁带宽度最小,并在费米能级附近有杂质能级出现,说明该体系电子跃迁所需的能量最少.该体系在可见光范围内吸收系数最大,且红外现象最为明显,可推测出Cd-GaN体系的光催化性能最好,可为降解污染物提供更多的选择.
文献关键词：
GGA+U方法;电子结构;光学性质;光催化;GaN
中图分类号：
作者姓名：
马磊;刘晨曦;潘多桥;雷博程;赵旭才;张丽丽
作者机构：
伊犁师范大学 物理科学与技术学院 新疆凝聚态相变与微结构实验室,新疆 伊宁 835000
文献出处：
引用格式：
[1]马磊;刘晨曦;潘多桥;雷博程;赵旭才;张丽丽-.Se和Cd掺杂GaN电子结构与光学性质的第一性原理研究)[J].电子元件与材料,2022(02):149-156
A类：
B类：
Se,Cd,GaN,电子结构,光学性质,第一性原理研究,基于密度,密度泛函理论,GGA+U,共掺杂,晶格常数,后体,数发,禁带宽度,吸收光谱,红移,光谱响应,响应范围,围得,费米能级,跃迁,可见光,内吸收,吸收系数,外现,光催化性能,降解污染物
AB值：
0.347045
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