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基于国产工艺的高速并串转换电路设计
文献摘要：
面向全国产化工艺的5GbpsSerDes(Serializer/DESerializer,串化器/解串器)芯片的需求,设计了其中的20:1 Serializer(并串转换电路).该并串转换电路基于国产GSMC 130 nm CMOS工艺设计,其内部电路结构设计采用了一级5:1模块和两级2:1模块级联方式,并由多相时钟发生器和分频器提供相应的时钟信号,将20路250 Mbps并行数据转换成1路5 Gbps的高速串行数据进行传输.在温度?40～100°C、全工艺角环境、电路工作电压在1.08～1.32 V的条件下,后仿真结果均显示该电路功能正确,能输出完整清晰的5 Gbps数据眼图,满足设计需求.其中在27°C、TT Corner(典型值工艺角)、1.2 V工作电压条件下仿真结果表明该并串转换电路整体总功耗为39.12 mW、总抖动为8.34 ps、输出电压满摆幅为800 mV.
文献关键词：
并串转换电路;数据高速传输;国产CMOS工艺;SerDes
中图分类号：
作者姓名：
屈祥如;周威;牛晓阳;赵承心
作者机构：
中国科学院近代物理研究所,兰州 730000;中国科学院大学核科学与技术学院,北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]屈祥如;周威;牛晓阳;赵承心-.基于国产工艺的高速并串转换电路设计)[J].原子核物理评论,2022(03):343-351
A类：
并串转换电路,5GbpsSerDes,Serializer,DESerializer
B类：
电路设计,面向全国,全国产化,化器,路基,GSMC,CMOS,工艺设计,电路结构,两级,时钟,发生器,分频器,Mbps,数据转换,转换成,串行,工作电压,眼图,设计需求,TT,Corner,典型值,压条,体总,总功耗,mW,抖动,输出电压,mV,数据高速传输
AB值：
0.364841
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