典型文献
CMOS反相器的快上升沿强电磁脉冲损伤特性
文献摘要：
随着电磁环境的日益复杂,保证集成电路(IC)的可靠性成为一个巨大的挑战.在此基础上,通过对CMOS反相器的仿真和实验研究,研究了快上升沿电磁脉冲(EMP)引起的陷阱辅助隧穿(TAT)效应.对此进行了详细的机理分析用于解释其物理损伤过程.EMP感应电场在氧化层中产生陷阱和泄漏电流,从而导致器件的输出退化和热失效.建立了退化和失效的理论模型,以描述输出退化及热积累对EMP特征的依赖性.温度分布函数由半导体中的热传导方程导出.基于TLP测试系统进行的相应实验证实了出现的性能退化,与机理分析一致.Sentaurus?TCAD的仿真结果表明,EMP引起的损坏是由栅极氧化层中发生的TAT电流路径引起的,这也是器件的易烧坏位置.此外,还讨论了器件失效与脉冲上升沿的关系.本文的机理分析有助于加强其他半导体器件的EMP可靠性研究,可以对CMOS数字集成电路的EMP加固提出建议.
文献关键词：
CMOS反相器;电磁脉冲;陷阱辅助隧穿;机理分析
中图分类号：
作者姓名：
梁其帅;柴常春;吴涵;李福星;刘彧千;杨银堂
作者机构：
西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带半导体国家重点实验室,西安 710071
文献出处：
引用格式：
[1]梁其帅;柴常春;吴涵;李福星;刘彧千;杨银堂-.CMOS反相器的快上升沿强电磁脉冲损伤特性)[J].强激光与粒子束,2022(08):75-83
A类：
陷阱辅助隧穿
B类：
CMOS,反相器,快上,强电磁脉冲,损伤特性,电磁环境,集成电路,IC,EMP,TAT,机理分析,物理损伤,感应电场,氧化层,泄漏电流,热失效,温度分布,分布函数,热传导方程,TLP,测试系统,性能退化,Sentaurus,TCAD,栅极,流路,烧坏,半导体器件,可靠性研究,数字集
AB值：
0.330575
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