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HgCdTe多层异质结红外探测材料与器件研究进展
文献摘要：
HgCdTe多层异质结技术是未来主流红外探测器发展的重要技术方向,在高工作温度、双/多色和雪崩光电管等高性能红外探测器中扮演着重要的角色.近年来基于多层异质结构的HgCdTe高工作温度红外探测器得到了快速发展,尤其是以势垒阻挡型和非平衡工作P+-π(ν)-N+结构为主的器件受到了广泛的研究.本文系统介绍了势垒阻挡型和非平衡工作P+-π(ν)-N+结构HgCdTe红外探测器的暗电流抑制机理,分析了制约两种器件结构发展的关键问题,并对国内外的研究进展进行了综述.对多层异质结构HgCdTe红外探测器的发展进行了总结与展望.
文献关键词：
碲镉汞;多层异质结;势垒;非平衡工作;焦平面器件
中图分类号：
作者姓名：
陈正超;唐利斌;郝群;王善力;庄继胜;孔金丞;左文彬;姬荣斌
作者机构：
北京理工大学 光电学院,北京 100081;昆明物理研究所,云南 昆明 650223;云南省先进光电材料与器件重点实验室,云南 昆明 650223
文献出处：
引用格式：
[1]陈正超;唐利斌;郝群;王善力;庄继胜;孔金丞;左文彬;姬荣斌-.HgCdTe多层异质结红外探测材料与器件研究进展)[J].红外技术,2022(09):889-903
A类：
多层异质结,非平衡工作
B类：
HgCdTe,结技术,红外探测器,技术方向,高工作温度,多色,雪崩,光电管,异质结构,势垒,阻挡,P+,N+,暗电流,电流抑制,抑制机理,器件结构,总结与展望,碲镉汞,焦平面器件
AB值：
0.246888
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