典型文献
异质衬底外延碲镉汞薄膜位错抑制技术进展
文献摘要：
分子束外延碲镉汞技术是制备第三代红外焦平面探测器的重要手段,基于异质衬底的碲镉汞材料具有尺寸大、成本低、与常规半导体设备兼容等优点,是目前低成本高性能红外探测器发展中的研究重点.对异质衬底上碲镉汞薄膜位错密度随厚度的变化规律进行了建模计算,结果显示ρ～1/h模型与实验结果吻合度好,异质衬底上原生碲镉汞薄膜受位错反应半径制约,其位错密度无法降低至5×106 cm-2以下,难以满足长波、甚长波器件的应用需求.为了有效降低异质外延的碲镉汞材料位错密度,近年来出现了循环退火、位错阻挡和台面位错吸除等位错抑制技术,本文介绍了各技术的原理及进展,分析了后续发展趋势及重点.循环退火和位错阻挡技术突破难度大,发展潜力小,难以将碲镉汞位错密度控制在5×105 cm-2以内.台面位错吸除技术目前已经显示出了巨大的发展潜力和价值,后续与芯片工艺融合后,有望大幅促进低成本长波、中长波、甚长波器件的发展.
文献关键词：
碲镉汞;异质衬底;位错抑制;循环退火;位错阻挡;台面位错吸除
中图分类号：
作者姓名：
杨晋;李艳辉;杨春章;覃钢;李俊斌;雷文;孔金丞;赵俊;姬荣斌
作者机构：
昆明物理研究所,云南 昆明 650223
文献出处：
引用格式：
[1]杨晋;李艳辉;杨春章;覃钢;李俊斌;雷文;孔金丞;赵俊;姬荣斌-.异质衬底外延碲镉汞薄膜位错抑制技术进展)[J].红外技术,2022(08):828-836
A类：
位错抑制,位错阻挡,台面位错吸除
B类：
异质衬底,碲镉汞,抑制技术,技术进展,分子束外延,第三代,红外焦平面探测器,半导体设备,设备兼容,红外探测器,位错密度,建模计算,吻合度,上原,甚长波,应用需求,异质外延,料位,循环退火,等位,技术突破,密度控制,中长波
AB值：
0.208905
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
