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黑硅光电探测材料与器件研究进展
文献摘要：
黑硅作为一种新型光电材料,在光伏太阳能电池、光电探测器、CMOS图像传感器等领域被广泛研究,其中黑硅的光电探测技术备受关注,近些年来也取得了重要的研究进展.本文首先简单介绍了黑硅材料的结构,然后讨论了基于飞秒激光刻蚀法、湿法腐蚀、反应离子刻蚀法等方法制备的黑硅材料的性质.其次概述了基于以上方法制备的不同黑硅光电探测器的结构及性能,并讨论了黑硅器件在不同领域的应用.最后对黑硅光电探测技术进行了分析与展望,探讨了黑硅材料及器件未来的发展方向.
文献关键词：
黑硅;光电探测器;研究进展
中图分类号：
作者姓名：
王博;唐利斌;张玉平;邓功荣;左文彬;赵鹏
作者机构：
昆明物理研究所,云南 昆明 650223;云南大学 材料与能源学院,云南 昆明 650500;云南省先进光电材料与器件重点实验室,云南 昆明 650223
文献出处：
引用格式：
[1]王博;唐利斌;张玉平;邓功荣;左文彬;赵鹏-.黑硅光电探测材料与器件研究进展)[J].红外技术,2022(05):437-452
A类：
B类：
黑硅,硅光,光电材料,光伏太阳能,太阳能电池,光电探测器,CMOS,图像传感器,光电探测技术,硅材料,飞秒激光,激光刻蚀法,湿法腐蚀,离子刻蚀
AB值：
0.230374
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