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退火处理对锑化铟MIS器件C-V特性的影响
文献摘要：
采用原子层沉积技术制备Al2O3薄膜作为InSb材料介电层,制备了MIS器件,研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响.利用C-V测试表征了MIS(metal-insulator-semiconductor)器件的界面特性,结果表明Al2O3介电层引入了表面固定正电荷,200℃和300℃退火处理可有效减小慢界面态密度,利用Terman法得到了禁带界面态密度分布,表明200℃退火可使禁带中央和导带附近的界面态密度显著减小.同时文章对C-V曲线滞回的原因进行了分析,认为Al2O3介电层中离界面较近的负体陷阱电荷是主要影响因素.实验证明了200℃～300℃的退火处理可有效改善InSb/Al2O3界面质量.
文献关键词：
锑化铟;C-V特性;金属化后退火;原子层沉积
中图分类号：
作者姓名：
周伟佳;龚晓霞;陈冬琼;肖婷婷;尚发兰;杨文运
作者机构：
昆明物理研究所,云南 昆明 650223
文献出处：
引用格式：
[1]周伟佳;龚晓霞;陈冬琼;肖婷婷;尚发兰;杨文运-.退火处理对锑化铟MIS器件C-V特性的影响)[J].红外技术,2022(04):351-356
A类：
Terman,金属化后退火
B类：
退火处理,锑化铟,MIS,原子层沉积,沉积技术,Al2O3,InSb,介电层,退火温度,界面特性,测试表征,metal,insulator,semiconductor,正电荷,界面态密度,禁带,密度分布,导带,时文,陷阱
AB值：
0.296743
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