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基于响应面法的CMP后清洗工艺优化实验
文献摘要：
在集成电路制造化学机械平坦化(CMP)制程中,后清洗工艺直接关系到晶圆表面缺陷、洁净度和表面粗糙度等关键工艺指标.而主流CMP后清洗过程中超洁净刷洗工艺至关重要,以新型国产CMP机台为基础,以半导体制造前道制程标准化二氧化硅衬底直径300 mm晶圆为测试对象,开展响应面优化实验,对CMP后清洗晶圆转速、清洗刷转速和清洗液体积流量等关键参数进行研究.结合刷洗工艺原理初步掌握了相关关键参数对洁净度及表面粗糙度的影响规律,得到满足工艺要求的最佳参数,即晶圆转速145～150 r/min、清洗刷转速200～215r/min和清洗液体积流量20～50 mL/min,可稳定实现晶圆表面粒径为0.12μm的颗粒数少于15和表面粗糙度0.5 nm以下的CMP后清洗优化工艺.研究结果可指导后续实验设计,并进一步得到相关工艺条件下参数及工艺效果的预测模型.
文献关键词：
化学机械平坦化(CMP);CMP后清洗;响应面;表面洁净度;表面粗糙度
中图分类号：
作者姓名：
张康;张菊;岳爽;高跃昕;李婷
作者机构：
北京烁科精微电子装备有限公司,北京 100176;中国核电工程有限公司,北京 100840
文献出处：
引用格式：
[1]张康;张菊;岳爽;高跃昕;李婷-.基于响应面法的CMP后清洗工艺优化实验)[J].微纳电子技术,2022(07):718-724
A类：
215r
B类：
响应面法,CMP,清洗工艺,优化实验,集成电路制造,造化,化学机械平坦化,制程,晶圆表面缺陷,表面粗糙度,关键工艺,工艺指标,洗过,中超,刷洗,机台,半导体制造,二氧化硅,硅衬底,响应面优化,清洗刷,清洗液,体积流量,工艺原理,工艺要求,最佳参数,颗粒数,优化工艺,实验设计,工艺条件,工艺效果,表面洁净度
AB值：
0.281909
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