典型文献
150 mm高质量15 kV器件用4H-SiC同质外延生长
文献摘要：
采用化学气相沉积法进行6英寸(1英寸=2.54 cm)厚层4H-SiC同质外延片的快速生长,通过对工艺中预刻蚀、碳硅比(C/Si)和温度等关键参数优化,有效降低了厚层外延片表面缺陷密度.同时,采用傅里叶变换红外法、汞探针电容电压法和表面缺陷测试仪对厚层4H-SiC同质外延片各项参数进行表征.结果表明,生长的厚150 μm外延层表面缺陷(三角形、掉落物以及掉落物引起的三角形)密度可降低至0.5 cm-2.外延片厚度均匀性为0.66％,外延层氮(N)掺杂浓度为2×1014 cm-3,N掺杂浓度均匀性为1.97％.此外,通过生长前对系统进行烘烤处理有效降低了反应腔系统的背景浓度,连续生长10炉次低掺杂浓度外延片,片间N掺杂浓度均匀性为4.56％,大大提高了炉次间的掺杂浓度均匀性.通过对工艺参数进行优化及外延前烘烤系统的方式,成功制备了 150 mm高质量15 kV器件用4H-SiC同质外延片.
文献关键词：
4H-SiC;同质外延;厚层外延;表面缺陷;快速率生长
中图分类号：
作者姓名：
吴会旺;杨龙;薛宏伟;袁肇耿
作者机构：
河北普兴电子科技股份有限公司,石家庄 050200;河北省新型半导体材料重点实验室,石家庄 050200
文献出处：
引用格式：
[1]吴会旺;杨龙;薛宏伟;袁肇耿-.150 mm高质量15 kV器件用4H-SiC同质外延生长)[J].微纳电子技术,2022(05):489-493
A类：
预刻蚀,厚层外延,快速率生长
B类：
kV,4H,SiC,同质外延生长,化学气相沉积法,英寸,速生,关键参数优化,表面缺陷,缺陷密度,傅里叶变换红外,红外法,电容电压,测试仪,外延层,三角形,掉落物,厚度均匀性,掺杂浓度,浓度均匀性,烘烤,腔系,度外
AB值：
0.247528
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